Transpector® SPS
Prozessüberwachung bei bestimmten Hochdruckprozessen
Product configurator
Gemini™ MxG5xx
Der INFICON Transpector® Single Pressure Sampling (SPS)-Restgasanalysator bietet optimalen Wafer- und Panelschutz bei bestimmten Hochdruckprozessen. Der Transpector SPS minimiert den Wafer- und Panelausschuss mithilfe des empfindlichsten Nachweissystems für Luftlecks und Prozesskontamination für Anwendungen mit einfachem Druck. Er bietet branchenführende Nachweisgrenzen und Messgeschwindigkeiten, um sowohl die Qualität als auch die Menge der Wafer- und Panelproduktion zu gewährleisten.
Der Transpector SPS maximiert den Prozessdurchsatz und die Ausbeute mithilfe der zuverlässigsten Prozessüberwachung für stabile Hochdruckprozesse. Das Gerät vereint ein einfaches und kostengünstiges Einlasssystem mit einer praxiserprobten Ionenquelle und Pumpeneinheit, um eine Lösung zur Gasanalyse mit geringem Risiko und hohem Nutzen zur Verfügung zu stellen.
Der Transpector SPS ist ideal für allgemeine Vakuum- und Industrieanwendungen und stellt eine bewährte Lösung für Anwendungen in der Metallurgie und zur Wärmebehandlung dar, z. B. beim Vakuum-Lichtbogenschmelzen (VAR). Der Transpector SPS ist konfigurierbar und kann spezifischen Anwendungen und Budgets angepasst werden. Kombinationen von Standardblenden, Kapillaren und Bypassleitungen können für Probenahmedrücke von 1E-4 Torr bis Atmosphärendruck ausgewählt werden. Der korrosionsbeständige Einlass, die Ionenquelle und die Pumpeneinheit wurde im Hinblick auf ihre Überlebensfähigkeit beim Ätzen, bei CVD und ALD und bei weiteren aggressiven Gasprozessen konzipiert.
Vorteile
- Minimiert die Gesamtbetriebskosten für Wafer- und Panelschutz mit Einfachdruck-Probeneinlass. Ideal für Hochdruckprozesse wie Diffusion, Epitaxie und RTP
- Ermöglicht den Nachweis kleinster Luftlecks und Verunreinigungen bei Prozessen mit konstant hohem Druck
- Nahtlose Integration in die Fertigung und zuverlässige Abschaltung durch leistungsstarke Datenerfassung und Synchronisierung
- Verbesserung spezieller Fertigungsmöglichkeiten durch maßgeschneiderte Rezepturoptimierung
- Schutz kritischer Prozessanforderungen durch sofortigen Vor-Ort-Einsatz von Experten
Typische Anwendungen
- PVD-Prozesse
- Diffusion und Epitaxieprozesse
- Ätzprozesse einschließlich: Metallätzen, dielektrisches Ätzen, Siliziumätzen, HDP-Ätzen
- CVD-Prozesse einschließlich: High-k-Dielektrika, HDP-CVD, LP-CVD, SA-CVD, CVD Low-k, PE-CVD
Spezifikationen
| Totaldruckbereich | 5E-7 to 1E-3 Torr (6.6E-7 to 1.3E-3 mbar) |
| Nachweisgrenze | <1 ppm |
| Systembetriebsdruck (mit Öffnungen/Kapillare) | 1E-4 Torr to 1.2 atmospheres |
| Empfindlichkeit (bei niedriger Emission, FC-Modus) | >4.0E-6 amps/Torr (>3E-6 amps/mbar) |
| Empfindlichkeit (bei hoher Emission, FC-Modus) | >2.0E-5 amps/Torr (>1.5E-5 amps/mbar) |
| Totaldruckbereich | 5E-7 to 1E-3 Torr (6.6E-7 to 1.3E-3 mbar) |
| Nachweisgrenze | <2 ppm |
| Systembetriebsdruck (mit Öffnungen/Kapillare) | 1E-4 Torr to 1.2 atmospheres |
| Empfindlichkeit (bei niedriger Emission, FC-Modus) | >2.0E-6 amps/Torr (>1.5E-6 amps/mbar) |
| Empfindlichkeit (bei hoher Emission, FC-Modus) | >1.0E-5 amps/Torr (>7.6E-6 amps/mbar) |
| Totaldruckbereich | 5E-7 to 1E-3 Torr (6.6E-7 to 1.3E-3 mbar) |
| Nachweisgrenze | <4 ppm |
| Systembetriebsdruck (mit Öffnungen/Kapillare) | 1E-4 Torr to 1.2 atmospheres |
| Empfindlichkeit (bei niedriger Emission, FC-Modus) | >1.0E-6 amps/Torr (>7.6E-7 amps/mbar) |
| Empfindlichkeit (bei hoher Emission, FC-Modus) | >5.0E-6 amps/Torr (>3.8E-6 amps/mbar) |
